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马英九:南海仲裁无实地调查 反成和平解决障碍

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2025-2029年中国氮化镓(GaN)产业深度调研及投资前景预测报告

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报告目录内容概述 定制报告

第一章 氮化镓相关概述
1.1 氮化镓基本介绍
1.1.1 氮化镓基本概念
1.1.2 氮化镓形成阶段
1.1.3 氮化镓性能优势
1.1.4 氮化镓半导体作用
1.2 氮化镓材料的特性
1.2.1 结构特性
1.2.2 化学特性
1.2.3 光学特性
1.2.4 电学性质
1.2.5 磁学特性
1.3 氮化镓的制备方法
1.3.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术
1.3.2 分子束外延(MBE)技术
1.3.3 氢化物气相外延(HVPE)技术
1.3.4 悬空外延技术(Pendeo-epitaxy)
第二章 2023-2025年半导体材料行业发展综述
2.1 半导体材料相关概述
2.1.1 第一代半导体材料
2.1.2 第二代半导体材料
2.1.3 第三代半导体材料
2.1.4 半导体材料的应用
2.2 2023-2025年全球半导体材料发展状况
2.2.1 市场规模分析
2.2.2 市场态势分析
2.2.3 区域分布状况
2.2.4 细分市场结构
2.2.5 产业重心转移
2.3 2023-2025年中国半导体材料行业运行状况
2.3.1 行业发展特性
2.3.2 市场发展规模
2.3.3 企业注册数量
2.3.4 产业转型升级
2.3.5 应用环节分析
2.3.6 项目建设动态
2.4 半导体材料行业存在的问题及发展对策
2.4.1 行业发展滞后
2.4.2 产品同质化问题
2.4.3 供应链不完善
2.4.4 行业发展建议
2.4.5 行业发展思路
2.5 半导体材料产业未来发展前景展望
2.5.1 市场结构性机会
2.5.2 行业发展前景
2.5.3 行业发展趋势
2.5.4 新型材料展望
第三章 2023-2025年氮化镓产业发展深度分析
3.1 氮化镓产业发展综述
3.1.1 产业链条分析
3.1.2 产业发展历程
3.1.3 产业支持政策
3.1.4 国产化的进展
3.2 2023-2025年氮化镓市场发展状况
3.2.1 氮化镓市场发展变局
3.2.2 氮化镓市场产值规模
3.2.3 氮化镓应用状况分析
3.2.4 氮化镓应用技术突破
3.2.5 氮化镓芯片产业化进展
3.3 氮化镓技术专利申请状况
3.3.1 中国氮化镓专利申请状况
3.3.2 中国氮化镓专利技术构成
3.3.3 中国氮化镓专利申请人分析
3.3.4 中国氮化镓专利发明人分析
3.3.5 中国氮化镓技术创新热点
第四章 2023-2025年氮化镓企业竞争情况分析
4.1 2023-2025年全球氮化镓企业竞争分析
4.1.1 全球氮化镓市场区域竞争
4.1.2 全球氮化镓企业竞争格局
4.1.3 全球氮化镓企业市场份额
4.1.4 全球氮化镓企业布局情况
4.1.5 全球氮化镓企业投资并购
4.1.6 全球氮化镓中国企业布局
4.2 2023-2025年中国氮化镓企业竞争分析
4.2.1 国内氮化镓竞争态势
4.2.2 国内氮化镓集中度
4.2.3 国内氮化镓企业研发及创新
4.2.4 国内氮化镓厂商布局
4.3 氮化镓快充市场主要厂商及制造工厂
4.3.1 氮化镓快充市场发展现状
4.3.2 主要厂商及其合作伙伴
4.3.3 氮化镓快充制造工厂
4.3.4 未来技术发展趋势分析
4.4 GaN器件主要企业及其产品分布
4.4.1 GaN电力电子器件
4.4.2 GaN光电子器件
第五章 2023-2025年氮化镓器件主要类型发展分析
5.1 发光二极管(LED)
5.1.1 发光二极管(LED)发展概述
5.1.2 发光二极管(LED)市场发展现状
5.1.3 发光二极管(LED)模块进出口数据
5.1.4 氮化镓基蓝绿光LED发展历程
5.1.5 氮化镓在LED领域的技术突破
5.2 场效应晶体管(FET)
5.2.1 场效应晶体管(FET)发展概述
5.2.2 GaN FET与硅FET的比较分析
5.2.3 GaN FET产品的应用情况
5.2.4 GaN FET产品研发进展
5.3 激光二极管(LD)
5.3.1 激光二极管(LD)发展概述
5.3.2 激光二极管(LD)背景技术
5.3.3 激光器进出口市场数据分析
5.3.4 GaN基激光器发展概况分析
5.3.5 GaN基激光器应用状况分析
5.3.6 GaN基激光器技术发展情况
5.3.7 GaN基激光器发展前景展望
5.4 二极管(Diodes)
5.4.1 二极管(Diodes)发展概述
5.4.2 二极管进出口市场数据分析
5.4.3 氮化镓二极管技术发展状况
5.5 射频器件(RF)
5.5.1 射频器件(RF)发展概述
5.5.2 GaN射频器件市场发展状况
5.5.3 GaN射频元件企业发展分析
5.5.4 GaN射频器件主要需求领域
5.6 太阳能电池(Solar Cells)
5.6.1 中国太阳能电池进出口数据分析
5.6.2 InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池发展概述
5.6.3 InGaN/GaN量子阱太阳能电池效率影响因素
5.6.4 InGaN/GaN量子阱太阳能电池效率提升工艺
5.6.5 InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池发展展望
第六章 2023-2025年氮化镓应用领域分析
6.1 氮化镓在电力电子产业的应用
6.1.1 电力电子器件产业发展意义
6.1.2 GaN应用在电力电子领域的优势
6.1.3 GaN电力电子器件分布情况
6.1.4 GaN基电力电子器件关键技术
6.1.5 氮化镓应用机会及趋势
6.2 氮化镓在新能源产业的应用
6.2.1 氮化镓在新能源行业的优势
6.2.2 氮化镓在新能源行业应用潜力
6.2.3 氮化镓在新能源的机会与挑战
6.2.4 氮化镓在新能源产业应用前景
6.3 氮化镓在智能电网产业的应用
6.3.1 氮化镓在智能电网产业中的应用领域
6.3.2 氮化镓在智能电网产业的应用优势
6.3.3 氮化镓在智能电网产业中未来发展方向
6.3.4 氮化镓在智能电网产业中的市场发展预测
6.4 氮化镓在通讯设备产业的应用
6.4.1 氮化镓在通讯设备市场需求分析
6.4.2 氮化镓在通讯设备市场技术问题
6.4.3 氮化镓在通讯设备市场应用前景
6.5 氮化镓其他领域应用分析
6.5.1 GaN在无线基站领域应用
6.5.2 GaN在紫外探测领域的应用
6.5.3 GaN在红外探测领域的应用
6.5.4 GaN在压力传感器中的应用
6.5.5 GaN在生物化学探测领域的应用
第七章 2023-2025年国际氮化镓产业重点企业经营状况分析
7.1 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1 企业发展概况
7.1.2 企业发展动态
7.1.3 企业经营状况
7.2 科沃(Qorvo, Inc.)
7.2.1 企业发展概况
7.2.2 企业产品开发
7.2.3 企业经营状况
7.3 亚德诺半导体(Analog Devices, Inc.)
7.3.1 企业发展概况
7.3.2 企业产品开发
7.3.3 企业经营状况
7.4 恩智浦(NXP Semiconductors N.V.)
7.4.1 企业发展概况
7.4.2 企业产品开发
7.4.3 企业经营状况
7.5 英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)
7.5.1 企业发展概况
7.5.2 企业发展动态
7.5.3 企业布局状况
7.5.4 企业经营状况
第八章 2022-2025年中国氮化镓产业重点企业经营状况分析
8.1 苏州纳维科技有限公司
8.1.1 企业发展概况
8.1.2 企业主营业务
8.1.3 企业项目动态
8.2 苏州能讯高能半导体有限公司
8.2.1 企业发展概况
8.2.2 企业发展成就
8.2.3 企业项目进展
8.3 东莞市中镓半导体科技有限公司
8.3.1 企业发展概况
8.3.2 企业核心技术
8.3.3 企业发展动态
8.3.4 企业发展规划
8.4 三安光电股份有限公司
8.4.1 企业发展概况
8.4.2 经营效益分析
8.4.3 业务经营分析
8.4.4 财务状况分析
8.4.5 核心竞争力分析
8.5 杭州士兰微电子股份有限公司
8.5.1 企业发展概况
8.5.2 经营效益分析
8.5.3 业务经营分析
8.5.4 财务状况分析
8.5.5 核心竞争力分析
8.6 四川海特高新技术股份有限公司
8.6.1 企业发展概况
8.6.2 企业的行业地位
8.6.3 经营效益分析
8.6.4 业务经营分析
8.6.5 财务状况分析
8.6.6 核心竞争力分析
第九章 2025-2029年氮化镓产业投资分析及前景预测
9.1 氮化镓产业投资潜力分析
9.1.1 产业投资机会
9.1.2 企业并购动态
9.1.3 投资扩产状况
9.1.4 市场进入壁垒
9.2 氮化镓产业发展前景展望
9.2.1 产业发展前景
9.2.2 市场应用潜力
9.2.3 市场发展机遇
9.3 中投顾问对2025-2029年中国氮化镓市场预测分析
9.3.1 中投顾问对氮化镓发展驱动五力模型分析
9.3.2 中投顾问对2025-2029年中国GaN产能规模预测

图表目录

图表1 半导体发展历程
图表2 硅、砷化镓、氮化镓主要电学性质参数比较
图表3 半导体材料性能比较
图表4 砷化镓/氮化镓半导体的作用
图表5 纤锌矿结构和闪锌矿结构两种结构的结构特性
图表6 三代半导体材料常温下部分性质
图表7 半导体材料的主要应用
图表8 2013-2022年全球半导体材料规模区域分布
图表9 2012-2023年中国半导体材料市场规模
图表10 2015-2023年中国半导体材料相关企业注册数量
图表11 半导体材料主要应用于晶圆制造与封测环节
图表12 GaN器件产业链各环节及主要企业
图表13 GaN外延用不同衬底的对比
图表14 GaN器件主要产品与工艺技术
图表15 GaN器件发展史
图表16 各国第三代半导体相关政策
图表17 各国对于第三代半导体厂商相关补贴
图表18 2020-2023年中国GaN产能
图表19 氮化镓(GaN)应用状况
图表20 2015-2024年中国氮化镓技术领域专利申请及授权量
图表21 2015-2024年中国氮化镓技术领域专利趋势
图表22 截至2024年中国氮化镓技术领域专利类型
图表23 截至2024年中国氮化镓技术领域发明专利审查时长
图表24 截至2024年中国氮化镓技术领域专利法律状态
图表25 截至2024年中国氮化镓技术领域专利法律事件
图表26 截至2024年中国氮化镓技术领域专利申请中国省市分布
图表27 截至2024年中国氮化镓技术领域主要技术分支的专利分布
图表28 2015-2024年中国氮化镓技术领域技术分支申请趋势
图表29 截至2024年中国氮化镓技术领域重要技术分支主要申请人分布
图表30 截至2024年中国氮化镓技术领域技术功效矩阵
图表31 截至2024年中国氮化镓技术领域专利申请人排名
图表32 截至2024年中国氮化镓技术领域专利集中度
图表33 截至2024年中国氮化镓技术领域新入局者披露
图表34 截至2024年中国氮化镓技术领域合作申请分析
图表35 截至2024年中国氮化镓技术领域主要申请人技术分析
图表36 截至2024年中国氮化镓技术领域主要申请人申请趋势
图表37 截至2024年中国氮化镓技术领域发明人排名
图表38 截至2024年中国氮化镓技术领域发明人申请趋势
图表39 截至2024年中国氮化镓技术领域发明人团队分析
图表40 截至2024年中国氮化镓技术领域技术创新热点
图表41 截至2024年中国氮化镓技术领域专利量较多的技术
图表42 图表 2020-2024年中国氮化镓技术领域旭日图
图表43 2020-2024年中国氮化镓技术领域热门主题不同层级的专利申请分布情况
图表44 氮化镓产业链境内外主要厂商
图表45 主流USB PD快充充电器代工厂汇总(一)
图表46 主流USB PD快充充电器代工厂汇总(二)
图表47 主流USB PD快充充电器代工厂汇总(三)
图表48 主流USB PD快充充电器代工厂汇总(四)
图表49 主流USB PD快充充电器代工厂汇总(五)
图表50 LED的生产流程
图表51 LED器件按封装形式分类
图表52 LED器件按应用领域分类
图表53 2011-2022年中国LED行业整体市场规模
图表54 2023年中国LED产业园区分布情况
图表55 2022-2024年中国发光二极管(LED)模块进出口总额
图表56 GaN FET SOA曲线示例
图表57 电感硬开关测试电路
图表58 Transphorm汽车级GaN FET产品示意图
图表59 2019-2024年中国激光器进出口总量
图表60 2019-2024年中国激光器进出口总额
图表61 GaN材料体系(GaN、InGaN和AlGaN)将半导体激光器波长扩展到可见光和紫外波段
图表62 具有Pd/Pt/Au的传统GaN基激光器结构示意图或具有ITO限制层的GaN基激光器结构示意图
图表63 (a)氮化镓/蓝宝石模板和(b)GaN自支撑衬底的位错缺陷对比(图中暗斑为位错缺陷)
图表64 (a)由于外延结构各层生长条件差异大导致蓝光激光器结构中出现暗斑缺陷;(b)优化生长条件消除暗斑缺陷的激光器外延片
图表65 以ITO代替部分p-AlGaN光限制层的复合激光器结构示意图
图表66 InGaN多量子阱激光器结构
图表67 InGaN多量子阱脊型激光器结构
图表68 蓝激光在25℃下发射的连续激光光谱
图表69 绿激光在阈值电流以下和以上的EL光谱
图表70 二极管结构图
图表71 二极管的图形符号
图表72 硅二极管典型伏安特性曲线
图表73 二极管的好坏判断
图表74 2019-2024年中国二极管进出口总量
图表75 2019-2024年中国二极管进出口总额
图表76 2020年我国SiC、GaN电力电子器件下游应用领域
图表77 2020年我国GaN射频器件下游应用领域
图表78 2024年中国太阳能电池进出口数据
图表79 2024年中国太阳能电池分产品出口额情况
图表80 2024年中国太阳能电池分产品出口量情况
图表81 2024年中国太阳能电池分产品进口额情况
图表82 2024年中国太阳能电池分产品进口量情况
图表83 2024年中国前十大太阳能电池出口目的地
图表84 2024年中国前十大太阳能电池进口来源地
图表85 2024年中国太阳能电池产品分省出口情况
图表86 2024年中国太阳能电池产品分省进口情况
图表87 InGaN材料带隙对应的AM1.5太阳光谱的覆盖
图表88 量子阱区域结构设计对InGaN/GaN量子阱太阳能电池特性的影响
图表89 光强和温度对InGaN/GaN量子阱太阳电池性能的影响
图表90 表面纳米结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池的性能特性
图表91 具有反射镜结构的InGaN/GaN量子阱太阳电池特性
图表92 垂直InGaN/GaN量子阱太阳能电池结构图
图表93 垂直结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池的性能特性
图表94 GaN器件应用领域及电压分布情况
图表95 2023-2024财年MACOM综合收益表
图表96 2024-2025财年科沃综合收益表
图表97 2023-2024财年亚德诺综合收益表
图表98 2023-2024年恩智浦季度总营收
图表99 苏州纳维发展历程
图表100 能讯半导体国家级项目
图表101 能讯半导体省级项目
图表102 中镓科技集团组织架构
图表103 三安光电股份有限公司主要业务
图表104 2021-2024年三安光电股份有限公司总资产及净资产规模
图表105 2021-2024年三安光电股份有限公司营业收入及增速
图表106 2021-2024年三安光电股份有限公司净利润及增速
图表107 2024年三安光电股份有限公司营业收入构成
图表108 2021-2024年三安光电股份有限公司营业利润及营业利润率
图表109 2021-2024年三安光电股份有限公司净资产收益率
图表110 2021-2024年三安光电股份有限公司短期偿债能力指标
图表111 2021-2024年三安光电股份有限公司资产负债率水平
图表112 2021-2024年三安光电股份有限公司运营能力指标
图表113 2021-2024年杭州士兰微电子股份有限公司总资产及净资产规模
图表114 2021-2024年杭州士兰微电子股份有限公司营业收入及增速
图表115 2021-2024年杭州士兰微电子股份有限公司净利润及增速
图表116 2024年杭州士兰微电子股份有限公司主营业务分行业、分产品、分地区情况
图表117 2021-2024年杭州士兰微电子股份有限公司营业利润及营业利润率
图表118 2021-2024年杭州士兰微电子股份有限公司净资产收益率
图表119 2021-2024年杭州士兰微电子股份有限公司短期偿债能力指标
图表120 2021-2024年杭州士兰微电子股份有限公司资产负债率水平
图表121 2021-2024年杭州士兰微电子股份有限公司运营能力指标
图表122 2021-2024年四川海特高新技术股份有限公司总资产及净资产规模
图表123 2021-2024年四川海特高新技术股份有限公司营业收入及增速
图表124 2021-2024年四川海特高新技术股份有限公司净利润及增速
图表125 2024年四川海特高新技术股份有限公司营业收入构成
图表126 2021-2024年四川海特高新技术股份有限公司营业利润及营业利润率
图表127 2021-2024年四川海特高新技术股份有限公司净资产收益率
图表128 2021-2024年四川海特高新技术股份有限公司短期偿债能力指标
图表129 2021-2024年四川海特高新技术股份有限公司资产负债率水平
图表130 2021-2024年四川海特高新技术股份有限公司运营能力指标
图表131 2023-2030年全球GaN功率元件市场规模
图表132 中投顾问对氮化镓行业发展驱动五力模型分析
图表133 中投顾问对2025-2029年中国GaN产能规模预测

氮化镓(Gallium Nitride, GaN)是一种宽禁带半导体材料,在电力电子、射频(RF)器件和光电子领域有着广泛的应用。与传统的硅基材料相比,GaN具有更高的电子迁移率、击穿电场强度和热导率,能够在高温、高频和高功率条件下工作,因此在提高能效和减小设备体积方面展现出巨大潜力。

近年来,随着技术的进步和市场需求的增长,全球氮化镓产业进入了快速发展阶段。特别是在射频电子领域,如5G通信基站中的功率放大器,GaN技术因其出色的性能而受到青睐。此外,在电动汽车/混合动力汽车的电源管理系统中,GaN也显示出了替代传统硅基产品的趋势。预计未来几年内,全球GaN市场的复合年增长率将保持较高水平。

在中国,氮化镓行业同样呈现蓬勃发展的态势。中国政府高度重视半导体产业的发展,并将其列为国家战略性新兴产业之一。随着国内企业对GaN技术研发投入的增加,中国在这一领域的竞争力不断增强。目前,中国不仅拥有完整的GaN产业链,包括材料生长、器件制造、封装测试等环节,而且在某些细分市场上已经达到了国际领先水平。例如,在消费电子快充领域,中国品牌推出的基于GaN的充电器已经在全球范围内获得广泛应用。2024年1-6月,中国(含台湾)半导体行业投资资金按项目类别来看硅片投资占比最高,占比约为48.9%,投资金额达到327.3亿人民币;Sic/Gan投资占比约为16.9%,投资金额达到113.5亿人民币。

为了推动氮化镓行业的发展,中国政府出台了一系列政策措施给予支持。这些政策包括但不限于研发资金补助、税收减免、知识产权保护以及设立国家级创新平台等。例如,《中国制造2025》规划明确提出要大力发展新一代信息技术产业,其中就包括了氮化镓在内的新材料。此外,地方政府也在积极推动地方性产业发展计划,为相关企业提供更多的成长空间。

中投产业研究院发布的《2025-2029年中国氮化镓(GaN)产业深度调研及投资前景预测报告》共九章。首先介绍了氮化镓的概念、特性、制备方法等,接着分析了半导体材料和氮化镓产业的整体发展状况。然后报告从企业竞争、市场主要类型、应用领域、国内外企业等方面对氮化镓行业进行了系统解析,最后报告对氮化镓产业的投资潜力及发展前景进行了科学的预测。

本研究报告数据主要来自于国家统计局、国家海关总署、商务部、财政部、工信部、中投产业研究院、中投产业研究院市场调查中心以及国内外重点刊物等渠道,数据权威、详实、丰富,同时通过专业的分析预测模型,对行业核心发展指标进行科学地预测。您或贵单位若想对氮化镓产业有个系统深入的了解、或者想投资该行业,本报告将是您不可或缺的重要参考工具。

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2025-2029年中国氮化镓(GaN)产业深度调研及投资前景预测报告

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